產(chǎn)品搜尋
面板驅(qū)動(dòng)IC之封裝型態(tài)可區(qū)分為T(mén)CP（Tape Carrier Package）、COF（Chip on Film）及COG（Chip on Glass）等三類(lèi)，過(guò)去主流封裝技術(shù)為T(mén)CP，不過(guò)，隨著面板朝高畫(huà)質(zhì)及高解析度發(fā)展，及晶片輕薄短小化之需求，驅(qū)動(dòng)IC線(xiàn)路中心到中心距（pitch）、間距（spacing）等越來(lái)越微細(xì)化，封裝基板設(shè)計(jì)亦必須配合晶片電路間距微細(xì)化提供對(duì)應(yīng)的封裝基板，導(dǎo)引封裝基板朝向高密度的構(gòu)裝技術(shù)發(fā)展。于是COF以覆晶接合方式取代TCP的TAB（Tape Automated Bonding），使得晶片與軟性基板可以極高密度相接合，由于封測(cè)技術(shù)朝晶圓顆粒持續(xù)微縮與細(xì)間距（Fine Pitch）製程趨勢(shì)發(fā)展，TCP內(nèi)引腳間距的極限為40μm，COF已量產(chǎn)的最小間距為25μm，因此COF封裝取代了TCP封裝。
目前全球主要COF廠(chǎng)為韓國(guó) LG Innotek（LGIT）與 Stemco、日商 Flexceed，以及國(guó)內(nèi)的頎邦與易華電等五家。至于COF製程技術(shù)主要分為蝕刻法（又稱(chēng)減成法）（Subtractive） 及半加成法（Semi-additive）。由于蝕刻法採(cǎi)用化學(xué)原理，控制上相對(duì)不穩(wěn)定，容易造成水平面布線(xiàn)同時(shí)被溶解掉。半加成法則是透過(guò)銅箔壓合后，進(jìn)行導(dǎo)通孔鑽洞，在特定范圍添加抗腐蝕劑以便曝光所需布線(xiàn)，寬度不僅較符合設(shè)計(jì)需求，加上線(xiàn)路可高密度重複布線(xiàn)，良率相對(duì)較高。
